ترابرد الکتریکی در یک سیم کوانتومی "Ga1-xAlxAs" در حضور برهمکنش الکترون- فونون

اکبر خلج؛ علی اصغر شکری؛ نادیا سلامی

دوره 6، شماره 1 ، آذر 1402، ، صفحه 1-12

https://doi.org/10.30473/jphys.2023.68907.1161

چکیده
  در این مقاله، با استفاده از رهیافت تابع گرین خواص ترابرد الکتریکی یک ساختار متجانس شبه یک بعدی مبتنی بر  (مانند سیم کوانتومی) در حضور برهمکنش الکترون- فونون به طور نظری مطالعه می­شود. برای این منظور، ساختار مورد نظر با طول محدود  را بین دو الکترود نیم­بی­نهایت فلزی در نظر می­گیریم. با استفاده از هامیلتونی این ساختار در چارچوب ...  بیشتر